中国半导体产业迎来历史性突破，其中已实现国产5纳米工艺芯片的量产，良率从早期的35%大幅提升至60%-70%，接近台积电初期的SF3良率水平。

这一突破背后，是工程师们在没有EUV光刻机的情况下，使用DUV设备通过“四重图案化技术”（SAQP）反复曝光四次，硬是将28nm的粗糙线条磨成5nm的精密图案。

其难度相当于“用铅笔在A4纸上画电路图，每画错一笔就得整张重来”，这也意味着国产芯片开始大幅度的进行突破了。

重点是当博主公布了详细的信息之后，对于厂商的发展来说，也将会是一次巨大的进步与提升，对于消费者来说也是一件好事。

需要了解，在EUV光刻机全面禁售的背景下，中国半导体产业选择了一条极具挑战的技术路径——用成熟DUV设备攻坚先进制程。

这里就不具体指向哪家厂商，但是初期行业消息称其5nm良率仅为35%，但最新进展表明，良率已攀升至60%-70%，接近当年台积电SF3工艺初期水平。

而且5nm工艺的晶体管密度是7nm的1.8倍，相当于“把北京四环内的建筑全塞进二环”

芯片金属导线直径仅为头发丝的万分之一，精度要求达到原子级别。

虽然这么说非常的夸张，但是良率的提升直接降低了生产成本，使得国产5nm芯片从实验室走向商业应用成为可能。

更何况随着5nm工艺成熟，华为即将推出的Mate80系列成为最受期待的受益者，多方消息表明，该系列将搭载新一代麒麟9030处理器。

虽然目前还不清楚用什么工艺，并且架构等方面都有很大悬念，但一旦进行采用，结果也只能用有好有坏来形容。

好的地方是因为工艺提升之后，芯片的性能表现会变得很好，不好的地方则是供应方面的压力应该会非常大。

况且缺货是华为手机这几年比较引人瞩目的事情，估计下半年的迭代新机，也会出现缺货的一个情况。

除了核心配置之外，新机在散热设计上，Mate80系列更是突破常规，有望采用超薄风扇主动散热系统。

届时会成为继红魔之后少数采用主动散热设计的旗舰手机，配合6000mAh硅碳负极电池和100W快充，华为在性能与续航之间取得新平衡。

同时新机有望做到IP68/69级别防尘防水，搭配上鸿蒙OS6版本的优化，日常使用体验也会变得极为优秀。

重点是等到下半年之后，生态环境也会变得很好，那么用户进行选择的时候，应该也不会特别的纠结了。

然后是外观设计上，Mate80系列将告别微曲屏，全系采用2.5D直屏，几乎达到“视觉消失”的效果。

并且标配支持120Hz刷新率、高频护眼调光模式，不知道这代会不会加入侧边超声波指纹解锁特性。

影像系统则升级为四摄组合，搭载新一代红枫原色传感器和XMAGE 3.0算法，影像表现将会非常的优秀。

此外，新机的功能特性方面应该也会有着不一样的表现，无论是昆仑玻璃还是卫星通讯应该都不会缺席。

其实站在5nm突破的门槛上，中国半导体产业已锁定下一个目标：在产能与良率上追平国际领先水平。

而且以中芯国际展现出惊人的“四年三级跳”发展速度，比如2019年突破14nm、2021年量产12nm、2023年交付7nm、2025年更是有望冲刺5nm。

这种发展速度甚至让ASML总裁温彼得承认：“中国对手的进步超乎预期”，但挑战依然存在，比如台积电3nm良率已超80%，中芯国际5nm仍在爬坡。

再加上国产光刻机精度仍落后ASML两代、芯片设计软件EDA被美国三大巨头垄断，这也意味着发展还需要时间。

总而言之，中国半导体产业的这场突围，不只是技术指标的竞赛，而是国产设备“拼乐高”式的产业链协同创新。

对此，大家有什么想表达的吗？一起来说说看吧。

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